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真空滅弧

發(fā)布日期:2022-06-16 16:15:02 作者:威尼格爾 點(diǎn)擊:

30 多年前,真空開斷技術(shù)和 SF-6 技術(shù)在配電系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用,部分是為了應(yīng)對空氣磁和油斷路器的許多問題。在隨后的幾年中,真空開斷VI 已成為應(yīng)用在 1,000 伏至36,000 伏之間的絕大多數(shù)斷路器的選擇。

VI重量輕,與大氣隔絕,預(yù)計(jì)使用壽命很長。自從 VI技術(shù)首次在行業(yè)中使用以來,典型的預(yù)測是 20 或 30 年。

正如所料,真空滅弧室被廣泛接受的主要基礎(chǔ)是財(cái)務(wù)。考慮到與空氣電磁和油斷路器相比,VI 可提供更長的使用壽命并大大降低維護(hù)成本。

它們的壽命/操作規(guī)格數(shù)量是舊技術(shù)的 10 倍;此外,使用壽命VI 可能比 SF-6 斷路器大百分之五十 (50%)。VI 如此長壽的至少部分原因在于其簡單但堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)。

VI 的其他優(yōu)點(diǎn)包括:

  • 它們相對緊湊且密封。

  • 打開所需的行程非常短,距離因年限和制造商而異。實(shí)際行程距離隨 VI 幾何形狀和電壓等級而變化;然而,典型的距離范圍從大約 8毫米到12毫米。

  • 在任何開斷方法中,它們具有最長的預(yù)期使用壽命。

  • 當(dāng) VI 遇到它們相對罕見的故障之一時,所造成的損壞通常比氣磁斷續(xù)器要小得多。但是,它們?nèi)匀粫?yán)重失敗,造成巨大的破壞。

  • 低質(zhì)量運(yùn)動允許更輕的操作機(jī)構(gòu),更便宜且持續(xù)時間更長。


對于 10-1 Pa 和 10-6 Pa 之間的真空水平,典型的觸點(diǎn)間隙(8 mm 到 12 mm)的介電強(qiáng)度在320 kV和1200kV 之間或更高。VI中的開斷容量將根據(jù)觸點(diǎn)設(shè)計(jì)而變化, 觸點(diǎn)分離和真空度。接觸設(shè)計(jì)和分離是任何給定 VI的設(shè)計(jì)特征。然而,我們已經(jīng)證明,開斷能力非常高,并且對 VI內(nèi)的壓力(真空)水平非常敏感。

高電壓測試

在 VI 的開路觸點(diǎn)上施加一個高電位電壓。將電壓增加到測試值并測量任何泄漏電流。工廠測試可以使用交流或直流高電位測試裝置進(jìn)行。DC 不太常用,因?yàn)楫?dāng)施加在真空觸點(diǎn)上時,高 DC 電壓會產(chǎn)生 X 射線。


泄漏率測試(MAC 測試)

該測試基于以 Frans Michael Penning (1894-1953) 命名的Penning 放電原理。Penning 表明,當(dāng)向氣體中的斷開觸點(diǎn)施加高電壓并且觸點(diǎn)結(jié)構(gòu)被磁場包圍時,極板之間的電流(離子)量是氣體壓力、施加電壓和磁場強(qiáng)度。

下圖顯示了用于泄漏率測試的測試設(shè)置圖。將 VI 置于勵磁線圈中可進(jìn)行磁場測試。該場由直流電流產(chǎn)生,并在測試期間保持恒定。將恒定直流電壓(通常為 10 kV)施加到打開的觸點(diǎn),并測量流過 VI 的電流。

由于磁場 (DC) 和外加電壓 (DC) 都是已知的,因此剩下的變量是氣體壓力。如果已知?dú)怏w壓力和電流之間的關(guān)系,則可以根據(jù)電流量計(jì)算內(nèi)部壓力。

盡管制造商的運(yùn)輸標(biāo)準(zhǔn)各不相同,但大多數(shù)新 VI 的內(nèi)部壓力為 10-5  Pa 或更低。

工廠泄漏率測試程序如下:

? 內(nèi)部壓力按前面段落中的描述確定。

? VI 被存放一段時間——通常至少幾個星期。

? 再次測試 VI 的內(nèi)部壓力。該測試足夠靈敏,即使在很短的時間內(nèi)也會觀察到非常微小的變化。

? 兩個測試之間的差異用于繪制泄漏率與時間曲線。

如果壓力上升到 10-2 Pa 以上,介電強(qiáng)度以及中斷能力將開始下降。壓力達(dá)到 10-2 Pa 所需的計(jì)算年數(shù)將表明 VI 的預(yù)期使用壽命。

有幾種可能的 VI 故障類型。

? 最常見的故障發(fā)生在 VI 達(dá)到其磨損極限時。VI 有一組軟銅合金觸頭,每次斷路器開合時都會產(chǎn)生機(jī)械沖擊。當(dāng)沒有電流流動時,觸點(diǎn)的損壞主要是由機(jī)械沖擊引起的。每次在負(fù)載、過載或故障電流下打開時,一些接觸材料會丟失到金屬蒸汽中,并重新沉積在 VI 罐的其他位置——希望但不總是在金屬蒸汽屏蔽層上。

? 另一個常見故障是金屬蒸氣和濺射材料沉積在罐內(nèi)部引起的內(nèi)部電弧閃絡(luò)。如果材料沉積在陶瓷外殼的內(nèi)部,這尤其糟糕,因?yàn)樗蟠蠼档土送鈿さ慕^緣質(zhì)量。由于外殼必須能夠承受電弧開斷引起的恢復(fù)電壓,因此外殼的絕緣故障會導(dǎo)致 VI 發(fā)生災(zāi)難性的機(jī)械故障。

? 第三種故障是由于波紋管、夾管或制造缺陷的機(jī)械故障而導(dǎo)致的真空損失。這種類型的故障通常與操作次數(shù)乘以任何 VI 上的一大殺手——波紋管上的扭轉(zhuǎn)有關(guān)。波紋管即使有 1 度的扭轉(zhuǎn)也可以將操作次數(shù)減少 10 倍。這種扭轉(zhuǎn)可能是由于工廠安裝不當(dāng)或在大修期間重新安裝造成的。操作過程中斷路器機(jī)構(gòu)的磨損也會引起扭轉(zhuǎn)。

? 最后是由于泄漏率造成的真空損失。泄漏率在工廠檢查,一般確定超過20年甚至30年;但是,由于安裝不當(dāng)、組件故障或維護(hù)過程中的損壞,泄漏率會大大增加。最近的現(xiàn)場經(jīng)驗(yàn)表明,制造的 VCB 中越來越多的高壓和內(nèi)置的新 VI。

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